上海市2011年度“科技创新行动计划”重大科技项目指南-法搜-中国法律信息搜索网

　　研究期限：2014年9月30日前完成。
　　经费额度：本专题支持额度不超过400万元。
　　专题3：可降解骨内植物用镁基生物材料相关重大问题的基础研究
　　研究目标：开发具有自主知识产权，兼有生物安全性、生物力学相容性和降解可控性特色的新型可降解医用镁材料及器件（室温拉伸屈服强度＞350MPa、延伸率＞10%、均匀腐蚀速度＜0.5mm/年），研究并揭示镁材料在骨环境中的安全降解吸收代谢机制，为临床应用奠定理论和技术基础。
　　研究内容：（1）材料及器件：研究镁材料的强韧化和高纯净度镁材料制备、组织结构调控及器件精密成型技术，开发出骨内植物用医用镁材料及器件；（2）可控降解：研究镁材料降解机理及其在骨环境下的力学性能衰减规律，建立有效的体外动态检测评价方法，实现可控降解；（3）医用基础：研究镁材料体内降解及其降解产物对新骨形成和骨内重建过程的影响，揭示其在骨环境中的安全降解吸收代谢机制。
　　研究期限：2014年9月30日前完成。
　　经费额度：本专题支持额度不超过300万元。
　　（二）高新技术领域
　　专题1：基于SiGe的硅基高速光电芯片设计与制造
　　研究目标：研究基于SiGe-BiCMOS（锗硅双极-互补金属氧化物半导体集成电路工艺）高速光电芯片技术，实现SOI（绝缘体上硅）光波导器件和SiGe HBT（锗硅异质结双极性晶体管）的单片集成；以开发用于下一代光接入网的10Gbps（10千兆比特每秒）突发模式光发射驱动芯片和光接收前端放大芯片为目标，研究可与光子回路集成的各个关键电路技术，性能满足实际系统应用要求。
　　研究内容：（1）各个关键高速单元电路技术，包括时钟频率在10GHz（10千兆赫兹）以上的高速逻辑单元电路、高速光接收机前端低噪声宽带放大器技术、10Gbps高速激光调制驱动电路技术、SiGe HBT行波放大电路技术等。在最大限度地扩大电路的增益带宽积的同时，开发能够和未来相关光子器件单片集成的电路结构。（2）研究SiGe-BiCMOS高速电路和SOI光子器件集成技术，实现SiGe工艺平台上的光电单片集成，研究在SOI衬底材料上制造SiGe HBT的工艺方法，实现SOI光波导器件和SiGe HBT电路单片集成的工程演示芯片。
　　研究期限：2014年9月30日前完成。
　　经费额度：本专题支持额度不超过1000万元。
　　专题2：高性能、低成本车用动力锂离子电池关键材料研制与应用开发
　　研究目标：全面掌握车用动力电池关键原材料、单体及系统设计开发、规模化生产、应用及成本控制技术，实现电池规模生产及系统集成应用。磷酸亚铁锂达到3000吨/年、聚乙烯隔膜达到4000万平方米/年、单体电池达到1亿安时/年、电池系统达到2万套/年的生产能力，电池系统通过整车企业装车考核。新型正极和隔膜材料达到实用水平。